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G.652B单模光纤 - 工厂直供
China
- 交期：
- 随报价一并确认
- 包装：
- 标准出口包装
- 样品：
- 可按需提供
产品详情
G.652B匹配包层单模光纤技术规范
| 属性 | 参数 | 描述 |
|---|---|---|
| 产品名称 | G.652B 匹配包层单模光纤 | 采用匹配包层设计的标准单模光纤，适用于长途和接入网络 |
| 光纤类型 / 等级 | G.652B（等效于 OS1/OS2） | 符合 ITU-T G.652B；国际等效标准包括 IEC 60793-2-50 B1.1、TIA-492CAAB |
| 标准符合性 | ITU-T G.652B、IEC 60793-2-50、TIA/EIA-492CAAB、GB/T 9771.1 | 符合单模光纤的国际标准和中国国家标准 |
| 纤芯 / 包层直径 | 纤芯：8.6–9.5 µm；包层：125.0 ± 0.7 µm | 匹配包层结构确保低熔接损耗和稳定的模场 |
| 模场直径 (MFD) | 9.2 ± 0.4 µm @ 1310 nm；10.4 ± 0.8 µm @ 1550 nm | 优化的 MFD，与标准连接器和熔接设备兼容 |
| 涂覆层直径 | 245 ± 10 µm（双层丙烯酸酯涂覆层） | 一次和二次 UV 固化丙烯酸酯涂覆层，提供机械保护 |
| 衰减 | ≤ 0.40 dB/km @ 1310 nm；≤ 0.30 dB/km @ 1550 nm；≤ 1.0 dB/km @ 1383 nm（水峰） | 在 O、E、S、C、L 波段具有低衰减；G.652B 不要求低水峰 |
| 色散 | ≤ 3.5 ps/(nm·km) @ 1285–1330 nm；≤ 18 ps/(nm·km) @ 1550 nm | 零色散波长 (λ0)：1300–1324 nm；色散斜率 ≤ 0.092 ps/(nm²·km) |
| 偏振模色散 (PMD) | PMD 系数 ≤ 0.5 ps/√km（链路设计值） | 根据 ITU-T G.652B 要求，适用于高达 10 Gbit/s 的传输速率 |
| 截止波长 | 光缆截止波长 (λcc) ≤ 1260 nm | 确保在整个工作波长范围内单模运行 |
| 抗拉强度（验证测试） | ≥ 100 kpsi (≥ 0.69 GPa) | 100% 验证测试；确保光纤完整性和长期机械可靠性 |
| 弯曲性能 | 宏弯损耗 ≤ 0.5 dB @ 1550 nm（100 圈，R=30 mm） | 符合 ITU-T G.652B 宏弯要求，适用于标准安装条件 |
| 工作温度 | -60°C 至 +85°C（存储）；-40°C 至 +70°C（运行） | 适用于室外、室内、架空和地下光缆应用 |
| 光纤长度 / 包装 | 标准：25 km / 盘；可提供定制长度（5–50 km/盘） | 缠绕在塑料或木制线盘上；防潮包装并配有干燥剂 |
| 应用 | FTTH、FTTB、长途骨干网、城域网、数据中心、CATV、电信接入 | 广泛用于在 1310 nm 和 1550 nm 窗口工作的陆地和海底光缆系统 |
| 认证 | ITU-T、IEC、TIA、RoHS、ISO 9001:2015 | 第三方认证；符合环境与质量管理标准 |
| MOQ | 1 盘（≥ 25 km） | 接受批量订单；可根据要求提供 OEM 和定制规格 |
G.652B单模光纤 - 工厂直供
G.652B 匹配包层单模光纤是现代电信基础设施中的基石传输介质，专为在长途和城域网络部署中提供卓越的信号完整性而设计。该光纤符合 ITU-T G.652B 建议，采用精确控制的匹配包层折射率剖面，可最大限度地减少模场失配，并在标准熔接条件下将熔接损耗降至 0.1 dB 以下。它在 1310 nm 和 1550 nm 波长下工作，在 1310 nm 处衰减系数 ≤0.4 dB/km，在 1550 nm 处 ≤0.2 dB/km，非常适合 DWDM、CWDM 和传统 SONET/SDH 传输系统。从骨干运营商网络到企业光纤到户（FTTP）部署，该光纤在维持高带宽、低延迟数据传输方面发挥着关键作用。我们的钢厂直供供应链消除了中间加价，为全球采购团队和网络工程师提供具有成本效益的解决方案，同时不牺牲尺寸精度或光学性能。
什么是 G.652B 匹配包层单模光纤？
G.652B 匹配包层单模光纤是由 ITU-T G.652B 规范定义的标准化电信级光纤。它采用二氧化硅基纤芯，标称直径为 8.6–9.5 µm，包层直径为 125 ± 1 µm。匹配包层设计确保纤芯与包层之间具有均匀的折射率梯度，抑制高阶模式，并实现截止波长 ≤1260 nm 的单模传播。它支持传统和扩展波长波段操作，使其成为传统和下一代光网络的多功能骨干光纤。
G.652B 匹配包层单模光纤制造工艺
G.652B匹配包层单模光纤的生产始于采用改进化学气相沉积（MCVD）或外部气相沉积（OVD）技术制造高纯度石英预制棒。精确的掺杂控制——芯层通常使用二氧化锗——建立约0.36%的目标折射率差（Δ）。随后，预制棒在精密拉丝塔中于超过2000°C的温度下进行拉丝，实现125 µm ± 1 µm的标称光纤直径。在线施加双层紫外固化丙烯酸酯涂层，最终涂层直径为245 ± 10 µm，确保光缆在整个使用寿命期间的机械稳健性和环境保护。
G.652B匹配包层单模光纤技术规格
G.652B匹配包层单模光纤的关键光学和机械参数严格符合ITU-T G.652B和IEC 60793-2-50标准。模场直径在1310 nm处测量为9.2 ± 0.4 µm，在1285–1330 nm范围内的色散系数不超过3.5 ps/(nm·km)，在1550 nm处≤18 ps/(nm·km)。偏振模色散（PMD）额定值为≤0.2 ps/√km（链路设计值）。验证测试拉伸强度最低为100 kpsi（0.69 GPa），并且根据IEC 60793-1-47，该光纤在30 mm直径心轴上表现出≤0.1 dB附加损耗的弯曲半径性能，确保在紧凑布线环境中的可靠性。
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