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G.654E超低损耗单模光纤供应商
China
- 交期：
- 随报价一并确认
- 包装：
- 标准出口包装
- 样品：
- 可按需提供
产品详情
G.654E超低损耗截止波长位移单模光纤技术规范
| 属性 | 参数 | 描述 |
|---|---|---|
| 产品名称 | G.654E 超低损耗截止波长位移单模光纤 | 专为长途和海底传输设计，具有超低衰减 |
| 光纤类别 | ITU-T G.654E / IEC 60793-2-55 Type B1.3 | 截止波长位移单模光纤，针对 C+L 波段运行优化 |
| 标准符合性 | ITU-T G.654E, IEC 60793-2-55, TIA-492CAAB | 符合国际电信和光纤标准 |
| 纤芯材料 | 纯石英纤芯 (SiO₂) | 超纯石英纤芯最大限度地减少瑞利散射和 OH 吸收损耗 |
| 包层直径 | 125.0 ± 0.7 µm | 标准包层直径，确保与标准连接器和熔接机兼容 |
| 纤芯直径 | 9.0 – 13.0 µm（MFD @ 1550 nm：11.5 – 13.0 µm） | 扩大的模场直径可减少高功率传输中的非线性效应 |
| 衰减系数 | ≤ 0.160 dB/km @ 1550 nm；≤ 0.170 dB/km @ 1625 nm | 超低损耗，可延长海底和地面链路的中继间距 |
| 光缆截止波长 | ≤ 1530 nm | 确保在整个 C 和 L 传输波段内单模运行 |
| 色散 | 17 – 23 ps/(nm·km) @ 1550 nm；≤ 22 ps/(nm·km) @ 1625 nm | 正色散，适用于色散管理传输系统 |
| 偏振模色散 (PMD) | ≤ 0.06 ps/√km（链路设计值） | 低 PMD 支持 100G/400G 及更高速率的相干传输 |
| 涂层直径 | 235 – 265 µm（标准）；200 µm（可提供减薄涂层） | 双层 UV 固化丙烯酸酯涂层，提供机械保护和柔韧性 |
| 验证测试水平 | ≥ 0.69 GPa (100 kpsi) | 确保机械可靠性并在制造过程中筛查潜在缺陷 |
| 工作温度 | -60°C to +85°C | 适用于包括海底电缆在内的极端环境条件部署 |
| 应用 | Long-haul terrestrial, submarine, DWDM, coherent 100G/400G/800G transmission | 适用于超长距离骨干网络和高容量光系统 |
| 认证 | RoHS, REACH, ISO 9001:2015, Telcordia GR-20 | 已认证可用于全球部署并符合环保要求 |
| 包装 | 木盘；每盘标准长度 4.0 km、6.25 km、8.0 km；可提供定制长度 | 线盘标注光纤长度、衰减和批次可追溯信息 |
| MOQ | 50 km（项目订单可协商） | 为系统集成商和网络运营商提供灵活的订单数量 |
G.654E超低损耗单模光纤供应商
作为值得信赖的 G.654E 超低损耗截止波长位移单模光纤供应商，我们提供精密工程光纤解决方案，专为最严苛的长途和海底传输网络而设计。由 ITU-T 定义的 G.654E 光纤标准代表了低衰减单模光纤技术的巅峰，在 1550 nm 处实现低至 0.155 dB/km 的典型衰减值——显著优于传统的 G.652D 光纤。凭借截止波长位移设计，该光纤能够在扩展的波长窗口内工作，使其成为超长距离陆地骨干网、跨洋光缆系统以及下一代相干光传输平台的首选，在这些应用中，数千公里范围内的信号完整性不容妥协。我们的制造能力，结合符合 IEC 60793-2-50 标准的严格质量保证，确保每一盘出厂的光纤都满足最严格的国际性能基准。
什么是 G.654E 超低损耗截止波长位移单模光纤？
G.654E 超低损耗截止波长位移单模光纤是一种根据 ITU-T G.654 E 类标准化的专用光传输介质。它采用纯硅芯和凹陷或匹配包层结构，设计用于在 1550 nm 处提供 ≤0.17 dB/km 的衰减系数、12.0 µm 标称模场直径以及 ≤1530 nm 的成缆截止波长。这些特性使其非常适合放大的长途和超长途 DWDM 传输系统。
G.654E 超低损耗截止波长位移单模光纤制造工艺
生产始于采用外部气相沉积（OVD）或改进化学气相沉积（MCVD）工艺制造的超高纯度合成石英预制棒，实现羟基（OH⁻）离子浓度低于0.1 ppb，以最大限度降低吸收损耗。随后，预制棒在精密光纤拉丝塔中于超过2000°C的受控温度下进行拉丝，接着施加双层UV固化丙烯酸酯涂层，使外径达到245 µm ± 10 µm的标准，确保机械坚固性和长期环境稳定性。
G.654E 超低损耗截止波长位移单模光纤技术规格
关键参数包括：1550 nm处衰减≤0.17 dB/km（典型值0.155 dB/km），1625 nm处衰减≤0.19 dB/km，1550 nm处模场直径12.0 ± 0.6 µm，1550 nm处色散在+18至+22 ps/(nm·km)之间，偏振模色散（PMD）系数≤0.04 ps/√km，光缆截止波长≤1530 nm，包层直径125.0 ± 0.7 µm。涂层直径为245 ± 10 µm，符合ITU-T G.654E和IEC 60793-2-50 Type B1.3标准。
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